泰思曼高壓電源在半導體測試的應用

高壓電源

IGBT和MOS管等功率半導體在電子電力裝置和系統中扮演著“CPU”的角色，優異的功率半導體可使設備達到高效節能的效果，近年來IGBT的國產化進程也顯著加速，與之對應的國產化測試設備也需求量旺盛。這類測試設備早期由瑞士和意大利等國外品牌占據。

動態、靜態測試系統是IGBT模塊研發和制造過程中重要的測試系統，其中動態測試指標對器件性能最為重要。因為諸如續流二極管的反向恢復參數，柵極-漏極、柵極-源極及漏極-源極的電容效應等會影響開關速度、開關時間和開關損耗，所以需要測量功率半導體器件的開關性能。此外如浪涌電流和雪崩能量等極限測試也是衡量半導體器件的重要指標。

 
而這些測試中，高精密的高壓電源是不可或缺的。泰思曼TD2202和TCM6006，具備快速平滑的上升沿，可編程的輸出波形獲得客戶的認可。